PANews 8月27日消息，据财联社报道，SK海力士启动位于美国印第安纳州、投资40亿美元的存储中心建设；将于2029年下半年在印第安纳州工厂启动下一代HBM4E芯片的量产。SK海力士CEO预计印第安纳州将成为美国高带宽内存（HBM）的核心生产基地。
SK海力士在美国印第安纳州的40亿美元先进内存封装厂开始建设
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- EnglishSK hynix begins construction on its $4 billion advanced memory packaging plant in Indiana, USA.
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