【长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目】金色财经报道，9月28日，长鑫科技公司，公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。上述项目投资总额分别为241亿元和108亿元。
长鑫科技：拟241亿元和108亿元分别投建技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目
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- EnglishChangXin Technology: Plans to invest RMB 24.1 billion and RMB 10.8 billion respectively in the construction of a technology R&D project and the second phase of a memory wafer back-end testing base project.
- 한국어长鑫科技：拟分别投入241亿元和108亿元，用于建设技术研发项目及存储器晶圆后道测试基地二期项目。